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Título : Electrical transport properties in Ge hyperdoped with Te
Autor : Caudevilla, Daniel
Pérez-Zenteno, Francisco
Duarte-Cano, Sebastián
García-Hernández, Rodrigo
Olea, Javier
San Andrés, Enrique
Barrio, Rocío
Torres, Ignacio
García-Emme, Eric
Prado, Álvaro
Pastor, David
Palabras clave : hyperdoping, tellurium, cryogenic ion implantation, bilayer model
Fecha de publicación : 14-jun-2024
Resumen : In this work we have successfully hyperdoped germanium with tellurium with a concentration peak of 1021 cm−3. The resulting hyperdoped layers show good crystallinity and sub-bandgap absorption at room temperature which makes the material a good candidate for a new era of complementary metal-oxide-semiconductor-compatible short-wavelength-infrared photodetectors. We obtained absorption coefficients α higher than 4.1×103 cm−1 at least up to 3 μm. In this study we report the temperature-dependency electrical properties of the hyperdoped layer measured in van der Pauw configuration. The electrical behaviour of this hyperdoped material can be explained with an electrical bilayer coupling/decoupling model and the values for the isolated hyperdoped layer are a resistivity of 4.25×10−3Ω·cm with an electron-mobility around −100 cm2 V−1 s−1.
URI : http://documenta.ciemat.es/handle/123456789/3049
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